Diodenlaser haben sich als nachhaltige und effiziente Lösung für die Erwärmung von Wafern etabliert und bieten Chipherstellern die Möglichkeit, ihre Produktion zu optimieren. Wie Infrarotlampen-Heizungen arbeiten auch Laser-Heizungen mit Infrarotlicht. Laser-Heizungen bieten jedoch erhebliche Vorteile, da sie die Zieltemperaturen schneller erreichen, eine hervorragende Gleichmäßigkeit bieten, den Energieverbrauch senken und praktisch keine Energie für die Erwärmung der umgebenden Kammer oder Atmosphäre verschwenden.

Experimente mit einem Diodenlaser mit einer Wellenlänge von 975 nm haben gezeigt, dass ein 200-mm-Siliziumwafer in weniger als 9 Sekunden auf 800 °C erhitzt werden kann, wobei die Temperatur während des gesamten Heizvorgangs konstant gehalten wird. Das empirische Modell der Studie deutet darauf hin, dass diese Technologie effektiv auf größere 300-mm-Wafer skaliert werden kann, was ein überzeugendes Argument für die Diodenlasererwärmung als Lösung für die Wafererwärmung darstellt.

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